AlGaN／GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定

摘要

AlGaN／GaN MISHFETでは電子は酸化膜／AlGaNのMOS界面またはAlGdN／GaN界面を電子が流れる。また、エンハンスメント動作を目的とするためしきい値制御のリセスエッチングを用いることが多く、電子移動度が影響を受ける懸念がある。そこで、ゲート容量と相互コンダクタンス（Gm）を測定することでチャネルの電界効果移動度を測定した。電子移動度はゲートバイアスで変化するが、チャネル垂直方向電界に対する依存性で見るとリセスエッチングをしないMISHFETでの移動度は同一基板上のHFETと全く同じであった。しかし、リセスエッチングをした試料では移動度の低下が見られた。