机译:栅极场板对AlGaN / GaN HEMT中表面状态相关电流塌陷的影响
Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore|c|;
AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT); GaN device modeling; current collapse; field plate design;
机译:分析场板对GaN MESFET和AlGaN / GaN HEMT中与缓冲器相关的滞后现象和电流崩溃的影响
机译:AlGaN / GaN HEMT中栅极场板的电流崩塌抑制
机译:具有不同类型缓冲层的场板AlGaN / GaN HEMT中滞后现象和电流崩塌的相似性
机译:落后滞后滞后的闸门长度依赖性分析 - 板锚杆/ GaN Hemts
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:alGaN / GaN HEmTs md中栅极场板的电流崩塌抑制。
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较