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李志远; 马亚超;
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,哈尔滨150001;
AlGaN/GaN; SFFP-SBD; 击穿电压; 钝化层厚度; 水平位置;
机译:具有结型场板的高Baliga质量因数常关型P-GaN栅极AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的仿真设计
机译:使用沉积在阶梯状绝缘体上的场板的超高压AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:带有T形场板的AlGaN / GaN HEMT中电场和击穿性能的调制机制分析
机译:使用物理器件仿真的场板研究GaN / AlGaN / GaN HEMT上低动态R on inf>
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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