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魏巍; 郝跃; 冯倩; 张进城; 张金凤;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
AlGaN/GaN; 击穿电压; 场板长度;
机译:通过氧等离子体处理和场板结构的组合应用,大大降低了AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩溃
机译:用于抑制AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管漏电流的新型场板结构
机译:缓冲杂质和场板对小型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管击穿特性的影响分析
机译:使用在X波段具有5W / mm功率密度的深紫外光刻技术在带有倾斜场板的硅基板上制造AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:高功率应用的具有内部场-板结构的GAN-HEMT(高电子迁移率晶体管)结构
机译:GaN / AlGaN / GaN无分散高电子迁移率晶体管
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