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魏巍; 林若兵; 冯倩; 郝跃;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
AlGaN/GaN HEMT; 场板; 电流崩塌;
机译:利用梯度场板结构抑制硅衬底上高压AlGaN / GaN HFET的电流崩塌
机译:Algan / gan平面肖特基二极管中电流的稳态和瞬态行为以及电流崩塌的机理
机译:高压GaN-HEMT中电流崩塌现象的场板结构依赖性
机译:快速软开关电流-DLTS和CC-DLTFS研究LPCVD Si3N4钝化的AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌机理
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:alGaN / GaN HEmT中电流崩塌的机理和抑制
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章
机译:基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
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