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机译:InN / GaN(0001)异质结构形成的理论研究
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机译:Inn基量子井双异质结构高电子迁移率晶体管(QW-DHEMTS)的理论电荷控制研究
机译:HBN GaN异质结构中Phonon Polaritizons的研究
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:Inn / GaN(0001)异质结构形成的理论研究