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第一章引言
第二章密度泛函理论和第一性原理计算
第三章6H-SiC(0001)-(3×3)表面的原子和电子结构
第四章 3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面(2√3× 2√3)R30°再构的原子和电子结构
致谢
论文发表情况
论文独创性声明及使用授权声明
李云;
复旦大学;
第一性原理,密度泛函理论,原子结构,电子结构,SiC材料;
机译:通过低能电子衍射检索3C-SiC(111),4H-SiC(0001)和6H-SiC(0001)表面的(3X3)表面重建的晶体学
机译:3C-SiC(111)和6H-SiC(0001)表面的(2根3 x 2根3)R30度重构的结构模型
机译:Si(111)和Si(001)上的6H-SiC(0001)-(3×3)表面和超薄银膜的表面和电子结构
机译:石墨烯/ SiC界面控制在6H-SiC(0001)和3C-SiC(111)/ Si(111)上使用丙烷 - 氢CVD
机译:模拟和比较3C-SiC,6H-SiC和4H-SiC纳米线的性能。
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:si3N4(0001)表面电子结构的理论研究。
机译:氧化物立方体系(111)是在表面氧化物立方体系(111)上生产(0001)六方晶系物质的单晶特征薄膜的方法
机译:使用ZnO(0001)/ SiO2 / Si(111)112的瑞利表面声波器件!
机译:使用氧化立方体系(111)基质生产(0001)六方体系物质如氧化锌的外延薄膜的方法及其所获得的薄膜
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