机译:用于连接AlGaN / GaN / Si芯片到DBC衬底的装配技术的开发
Warsaw Univ Technol Inst Micro & Optoelect Warsaw Poland;
Luksiewicz Res Network Inst Electron Technol Wide Bandgap Semicond Technol Warsaw Poland;
Luksiewicz Res Network Inst Electron Technol Wide Bandgap Semicond Technol Warsaw Poland;
Luksiewicz Res Network Inst Electron Technol Wide Bandgap Semicond Technol Warsaw Poland|Warsaw Univ Technol Inst Micro & Optoelect Fac Elect & Informat Technol Warsaw Poland;
Warsaw Univ Technol Inst Micro & Optoelect Warsaw Poland;
Adhesion; Assembly; SLID technology; Sintering; DBC; HEMT; AlGaN; GaN; Si;
机译:三维模拟支持的SiC衬底上AlGaN / GaN多指功率HEMT的先进表征技术和热性能分析
机译:硅/蓝宝石衬底上AlGaN / GaN HEMT参数提取技术的比较分析
机译:利用衬底偏置研究陷阱在硅上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的关态性能中的作用的新技术
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:三维仿真支撑的SiC基板上AlGaN / GaN Multifiger功率HEMTS热性能的高级表征技术及分析