20nm凹栅极三维常关型AlGaN/GaN FinHFET设计

摘要

本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布,耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2DEG),实现了器件的常关功能.研究结果表明:常关型AlGaN/GaN FinHFET器件与传统凹栅HFET工艺兼容,具有较好的电流驱动能力和反向阻断能力,为GaN电路集成提供了一种新型的思路.