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机译:硅/蓝宝石衬底上AlGaN / GaN HEMT参数提取技术的比较分析
IIIT Kurnool, Dept Elect & Commun, Vandalur Kelambakkam Rd, Nellikuppam Chennai 600127, TN, India;
IIT Mandi, Sch Comp & Elect Engn, Mandi 175005, HP, India;
IIT Kharagpur, Elect & Elect Commun Engn, Kharagpur 721302, W Bengal, India;
Artificial neural network (ANN) model; Small signal model (SSM); GaN HEMT on silicon/sapphire; RF characterization;
机译:MBE在Si(111)和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的比较直流特性分析
机译:陷阱中心和深缺陷对硅和蓝宝石衬底上的AlGaN / GaN HEMT的电流不稳定性有贡献
机译:在硅,SiC和蓝宝石衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT的低频漏极噪声比较
机译:三种(111),蓝宝石,4H-SIC基板上的Algan / GaN Hemts中Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电性能和表面形态的比较优化
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:通过使用双转移技术从蓝宝石转移到硅衬底来增强GaN基发光二极管的性能
机译:直流表征方法测定蓝宝石和硅衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT中的沟道温度