机译:在没有表面功能化的情况下,在顶部栅极MoS_2晶体管上的亚10纳米高K栅极电介质的原子层沉积
Natl Taiwan Univ, Dept Mat Sci & Engn, Taipei 10617, Taiwan;
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MoS2; Two-dimensional materials; Field-effect transistors; Atomic layer deposition (ALD); High-K gate dielectrics;
机译:具有低于10 nm顶栅高k电介质的双栅MoS_2晶体管
机译:MoTe_2上亚10 nm均匀高K电介质原子层沉积的成核工程
机译:MoTe_2上亚10 nm均匀高K电介质原子层沉积的成核工程
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:高k栅极电介质的反应:在ha,锆,钇和镧基电介质以及二氧化ha原子层沉积的原位红外结果方面的研究。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:具有高k电介质的顶栅二硫化钼场效应晶体管的电学特性