法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20161005 终止日期:20190828 申请日:20120828
专利权的终止
2017-12-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20120828
专利申请权、专利权的转移
2017-12-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20120828
专利申请权、专利权的转移
2017-12-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20120828
专利申请权、专利权的转移
2017-12-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20120828
专利申请权、专利权的转移
2016-10-05
授权
授权
2016-10-05
授权
授权
2016-10-05
授权
授权
2014-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20120828
实质审查的生效
2014-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20120828
实质审查的生效
2014-08-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20120828
实质审查的生效
2014-07-23
公开
公开
2014-07-23
公开
公开
2014-07-23
公开
公开
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机译: CMOS设备的含锗通道上的氧化硅和高k栅极电介质的氧化锗无原子层沉积
机译: CMOS设备的含锗通道上的氧化硅和高k栅极电介质的氧化锗无原子层沉积
机译: CMOS器件上含锗通道中氧化硅和高K栅介质上氧化锗的无原子层沉积