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李蠡;
《网管员世界》记者;
金属栅极; 处理器; 集成电路芯片; Intel公司; 制程; 纳米; 摩尔定律; 晶体管设计;
机译:UV / VUV增强的RTP对90-nm以下CMOS制程的金属栅极/高K栅极堆叠的工艺变化和器件性能的影响
机译:应用高κ栅极电介质和金属栅电极实现硅和非硅逻辑纳米技术
机译:英特尔引领45纳米制程,处理器资本支出竞赛逐渐降温
机译:45纳米低功耗片上系统(SoC)双栅极氧化物高k /金属栅极(DG HK + MG)技术的可靠性研究
机译:具有各种高k栅极电介质的硅金属氧化物半导体系统的电子隧穿光谱。
机译:具有高再现性的Gold @ silver双金属纳米颗粒/金字塔硅3D基板用于高性能SERS
机译:界面电荷在基于高k的多晶硅和金属栅极纳米级MOSFET上的作用
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术
机译:在高k金属栅极平台技术中使用后栅极工艺形成晶体管栅极的多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:使用后栅极工艺形成晶体管栅极的高K金属栅极平台技术中形成多晶硅纳米晶体薄膜存储位元的方法
机译:用于在III-V型半导体材料和硅锗半导体材料上形成的鳍型场效应晶体管的高k栅极电介质和金属栅极导体叠层
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