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机译:MoTe_2上亚10 nm均匀高K电介质原子层沉积的成核工程
Natl Taiwan Univ Dept Mat Sci & Engn Taipei 10617 Taiwan;
Univ Calif San Diego Dept Chem & Biochem San Diego CA 92093 USA;
Two-dimensional materials; Transition metal dichalcogenides (TMDs); Atomic layer deposition (ALD); High-K dielectrics;
机译:MoTe_2上亚10 nm均匀高K电介质原子层沉积的成核工程
机译:在没有表面功能化的情况下,在顶部栅极MoS_2晶体管上的亚10纳米高K栅极电介质的原子层沉积
机译:通过原子层沉积增强石墨烯上高k电介质的成核
机译:原子层沉积的成核,生长和后沉积退火(ALD)高k栅极介电层
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:具有高K原子层沉积介电材料绝缘层的CMUT
机译:Ge和III-V MOS通道上高k介电层的原子层沉积