机译:位置控制的InGaN / GaN量子点的单光子发射
Department of Physics, University of Michigan, 450 Church Street, Ann Arbor, Michigan 48109, USA|c|;
机译:位置控制的InGaN / GaN量子点的单光子发射
机译:单点控制InGaN / GaN量子点中的双光子吸收
机译:GaN微锥上的InGaN量子点的偏振单光子发射和光子聚集
机译:位置控制的InGaN / GaN量子点的电驱动单光子发射
机译:片上可集成的单量子点的单光子发射特性:朝向可伸缩量子光学电路
机译:界面涨落GaN量子点的单光子发射的温度依赖性
机译:场控制InGaN / GaN量子点的单光子发射