一种InGaN量子点的外延生长方法以及所得的单光子源

摘要

本发明涉及一种InGaN量子点的外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上依次外延生长低温缓冲层、高温GaN体材料和低温GaN插入层，然后在所述GaN插入层上外延生长InGaN量子点。本发明还提供了一种由所述生长方法所得的InGaN量子点单光子源。本发明所述外延生长方法所得的量子点具有很强的量子限制效应，十分适合制作单光子源。所述外延生长方法可以有效降低量子点的横向尺寸和密度，而且步骤简便，条件温和，具有广泛的应用价值。