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机译:反相直接键合及其在GaAs衬底上制造基于InP的1.55μm波长激光器的应用
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185, Japan;
机译:用于GaAs衬底上的长波长(1.3-1.55μm)激光器和MODFET型结构的变质生长
机译:GS-MBE在基于InP的异质结构上外延生长1.55μm的InAs量子虚线,用于长波长激光应用
机译:在失谐的InGaAsP DBR激光器中以1.55 / spl mu / m的波长提供30 GHz直接调制带宽
机译:通过直接键合进行自由取向集成:在110 GaAs衬底上制造001基于InP的1.55 / spl mu / m波长激光器
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:相互扩散对1.55μm工作波长下Gaas衬底上In0.65Gs0.35as / Gaas多量子阱结构中子带的影响