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用于1.55μmInGaAsP／InP DFB激光器的λ／4相移衍射光栅

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摘要

采用全息二次曝光的方法,研制出用于 1.55μm InGaAsP/InP DFB激光器的,具有 λ/4相移的二级光栅,并通过扫描电镜(SEM)证明了相移的存在.本文分析了制备该种光栅的工艺原理,并提出了改善此种光栅质量的新方法.

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来源
《半导体学报》 |1991年第5期|P.309-312T001|共5页
作者
缪育博; 张静媛;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体激光器;
关键词
DFB激光器; InGaAsP／InP; 衍射光栅;

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