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Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on
召开年:
1995
召开地:
Hokkaido
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Characterization of InAsP/InGaAsP strained MQW crystals for 1.3/spl mu/m-wavelength laser diodes usi
机译:
适用于1.3 / splμ/ m / m波长激光二极管的InAsP / InGaAsP应变MQW晶体的表征
作者:
Nakao
;
M.
;
Sugiura
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
2.
Selective MBE growth of InGaAs and InAlAs on high-index facets and its application to fabrication of
机译:
InGaAs和InAlAs在高折射率小面上的选择性MBE生长及其在制备AlNb中的应用
作者:
Fujikura
;
H.
;
Hasegawa
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
3.
Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
机译:
第七届国际磷化铟及相关材料会议
会议名称:
《》
|
1995年
4.
Effect of strained interfacial layer and large misorientation on SQW, 2DEG, and multisteps in InGaP/(In)GaAs heterostructures grown by MOVPE
机译:
界面层应变和大的取向错误对MOVPE生长的InGaP /(In)GaAs异质结构中SQW,2DEG和多步的影响
作者:
Kikkawa
;
T.
;
Kasai
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
5.
Intersubband transitions in conduction band quantum wells: the role of energy band gaps and band off-sets
机译:
导带量子阱中的子带间跃迁:能带隙和能带偏移的作用
作者:
Lung-Han Peng
;
Fonstad
;
C.G.
;
Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
6.
Non-Au based shallow low resistance ohmic contacts on p-InP
机译:
p-InP上基于非Au的浅层低电阻欧姆接触
作者:
Moon-Ho Park
;
Wang L.C.
;
Fei Deng
;
Clawson A.
;
Lau S.S.
;
Cheng J.Y.
;
Hwang D.M.
;
Palmstrom C.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
7.
A novel technique for semi-insulating InP(Fe) by chloride VPE
机译:
氯化物VPE半绝缘InP(Fe)的新技术
作者:
Sun Hongbo
;
Chen Songyan
;
Li Yudong
;
Hu Lizhong
;
Liu Shiyong
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
8.
Pentacarbonyliron doping for semi-insulating InP by chemical beam epitaxy
机译:
五羰基铁掺杂化学束外延半绝缘InP。
作者:
Tsang
;
W.T.
;
Walker
;
J.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
9.
Studies on the influence of Peltier effect and electromigration during LPEE growth of binary and ternary semiconductors
机译:
珀耳帖效应和电迁移对二元和三元半导体LPEE生长的影响研究
作者:
Fareed
;
R.S.Q.
;
Dhanasekaran
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
10.
Sulfur-treated InP surfaces studied by soft X-ray photoemission spectroscopy
机译:
用软X射线光发射光谱法研究经硫处理的InP表面
作者:
Maeyama
;
S.
;
Sugiyama
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
11.
Evolution of non-equilibrium intrinsic defects in indium phosphide during the zinc diffusion from polymer spin-on films
机译:
聚合物自旋薄膜中锌扩散过程中磷化铟中非平衡固有缺陷的演变
作者:
Faleev
;
N.N.
;
Gorelenok
;
A.T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
12.
Fabrication of crystal-facet mirrors for short cavity lasers by selective InP epitaxy on etched sidewalls
机译:
通过在刻蚀侧壁上进行选择性InP外延制造短腔激光器的晶面镜
作者:
Sugimoto
;
H.
;
Gotoda
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
13.
Four-wavelength DBR laser array with waveguide-couplers fabricated using selective MOVPE growth
机译:
使用选择性MOVPE生长制造的具有波导耦合器的四波长DBR激光器阵列
作者:
Katoh
;
Y.
;
Kunii
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
14.
Highly controlled InGaAs(P)/InP MQW interfaces grown by MOVPE using TBA and TBP precursors
机译:
MOVPE使用TBA和TBP前体生长的高度受控的InGaAs(P)/ InP MQW接口
作者:
Nakamura
;
T.
;
Ae
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
15.
Improvement of resistivity of phosphorous nitride films deposited at 100/spl deg/C on InP substrate
机译:
改善在InP衬底上以100 / spl deg / C沉积的氮化磷膜的电阻率
作者:
Matsumoto
;
Y.
;
Suzuki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
16.
Influence of arsenic flux ratio in the thermal cleaning process on InP (100) surface characteristics
机译:
热清洗过程中砷通量比对InP(100)表面特性的影响
作者:
Washima
;
M.
;
Tsuchiya
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
17.
Lateral modulation in strain-compensated MQW structures
机译:
应变补偿的MQW结构中的横向调制
作者:
Shimose Y.
;
Kikugawa T.
;
Nagai H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
18.
Monte Carlo simulation of diffusion noise in AlGaAs/InGaAs/GaAs hetero-structure
机译:
AlGaAs / InGaAs / GaAs异质结构中扩散噪声的蒙特卡罗模拟
作者:
Wu
;
Y.
;
Niu
;
G.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
19.
Photoconductivity and photoluminescence of Cu diffused p-InP
机译:
铜扩散的p-InP的光电导和光致发光
作者:
Pal D.
;
Bose D.N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
20.
Quantum cascade lasers: unipolar intersubband infrared lasers
机译:
量子级联激光器:单极子带间红外激光器
作者:
Capasso F.
;
Faist J.
;
Sirtori C.
;
Hutchinson A.L.
;
Sivco D.L.
;
Cho A.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
21.
Spontaneous formation of aligned InGaAs quantum dots on GaAs multi-atomic steps by metalorganic chemical vapor deposition growth
机译:
金属有机化学气相沉积生长在GaAs多原子台阶上自发形成取向的InGaAs量子点
作者:
Kitamura
;
M.
;
Nishioka
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
22.
Status and promise of InP electronics
机译:
InP电子的地位和前景
作者:
Mishra U.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
23.
Step bunching of InP caused by heavy doping of Se in metalorganic chemical vapor deposition and its application to device fabrication
机译:
金属有机化学气相沉积中硒的重掺杂引起的InP台阶聚束及其在器件制造中的应用
作者:
Takaoka
;
K.
;
Kushibe
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
24.
Theoretical analysis of enhanced electroabsorption change due to light-hole subband transition in lattice-matched wide quantum wells
机译:
晶格匹配宽量子阱中由于光孔子带跃迁而增强的电吸收变化的理论分析
作者:
Yamanaka
;
T.
;
Wakita
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
25.
AlGaAsSb buffer/barrier layer on GaAs substrate for InAs channel with high electron properties
机译:
GaAs衬底上用于具有高电子特性的InAs通道的AlGaAsSb缓冲/势垒层
作者:
Miya
;
S.
;
Muramatsu
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
26.
Anisotropic photocurrent in long-range ordered Ga/sub 0.5/In/sub 0.5/P
机译:
远距离有序Ga / sub 0.5 / In / sub 0.5 / P中的各向异性光电流
作者:
Kita
;
T.
;
Fujiwara
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
27.
Atomic ordering in strained layer multi-quantum well structure
机译:
应变层多量子阱结构中的原子序
作者:
Otsuka N.
;
Kito M.
;
Yabuuchi Y.
;
Ishino M.
;
Matsui Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
28.
Atomic structures of Au and Ag films epitaxially grown on the InP(001)-p(2/spl times/4) surface
机译:
在InP(001)-p(2 / spl times / 4)表面外延生长的Au和Ag薄膜的原子结构
作者:
Morita
;
K.
;
Soda
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
29.
Cadmium sulfide surface stabilization and Schottky barrier enhancement for InP based optoelectronic devices
机译:
基于InP的光电器件的硫化镉表面稳定和肖特基势垒增强
作者:
Vaccaro
;
K.
;
Spaziani
;
S.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
30.
Characteristics of iron doped Pt-InAlAs Schottky diodes grown by LP-MOCVD using ferrocene
机译:
用二茂铁通过LP-MOCVD生长的铁掺杂Pt-InAlAs肖特基二极管的特性
作者:
Hong
;
K.
;
Pavlidis
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
31.
Characterization of electron traps in AlInAs treated with plasma
机译:
等离子体处理的AlInAs中电子陷阱的表征
作者:
Sugino T.
;
Hirata D.
;
Yamamura I.
;
Matsuda K.
;
Shirafuji J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
32.
Characterization of semiconducting thin films on InP for magneto-optical applications
机译:
用于磁光应用的InP上半导体薄膜的表征
作者:
Stadler
;
B.J.
;
Davis
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
33.
Characterization of surface recombination velocity of InP reduced by sulfur-treatment and a phosphorous-nitride film formation with Raman spectroscopy
机译:
硫处理和磷氮化物成膜的拉曼光谱表征了InP的表面重组速度
作者:
Hanajiri
;
T.
;
Matsumoto
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
34.
Chemical beam etching of InP in GSMBE
机译:
GSMBE中InP的化学束蚀刻
作者:
Gentner J.-L.
;
Jarry P.
;
Goldstein L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
35.
Chemical structure of InP surface in MOVPE studied by surface photo-absorption
机译:
表面光吸收法研究MOVPE中InP表面的化学结构
作者:
Kobayashi
;
Y.
;
Kobayashi
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
36.
Chlorine auto-doping by chloride vapor phase epitaxial growth of InP
机译:
InP的氯化物气相外延生长进行氯的自动掺杂
作者:
Iwasaki
;
T.
;
Iguchi
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
37.
Composition control in the growth of AlAs/sub 1-x/Sb/sub x/ alloys
机译:
AlAs / sub 1-x / Sb / sub x /合金生长过程中的成分控制
作者:
Jehn Ou
;
Wei-Kuo Chen
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
38.
Controlled beam dry etching of InP by using Br2-N2 gas
机译:
使用Br2-N2气体对InP进行控制束干法刻蚀
作者:
Oku S.
;
Shibata Y.
;
Ochiai K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
39.
Crystal anomaly at the center of S doped InP wafers grown by the LEC method
机译:
通过LEC方法生长的S掺杂InP晶片中心的晶体异常
作者:
Iguchi
;
Y.
;
Iwasaki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
40.
CW operation of a 1.3-/spl mu/m strained quantum well laser on a graded InGaAs buffer with a GaAs substrate
机译:
1.3- / spl mu / m应变量子阱激光器在带有GaAs衬底的梯度InGaAs缓冲液上的连续波操作
作者:
Uchida
;
T.
;
Kurakake
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
41.
Cyclotron resonance in InP grown by organometallic vapor phase epitaxy with TMIn and TBP
机译:
TMIn和TBP通过有机金属气相外延生长InP中的回旋加速器共振
作者:
Nakata
;
H.
;
Satoh
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
42.
Determination of the in-plane mass in strained GaInAs/InP quantum wells
机译:
GaInAs / InP量子阱中面内质量的确定
作者:
Harle
;
V.
;
Rapp
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
43.
Developing models of OMVPE growth from in situ X-ray measurements
机译:
通过原位X射线测量开发OMVPE生长模型
作者:
Fuoss P.H.
;
Kisker D.W.
;
Stephenson G.B.
;
Brennan S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
44.
DFB lasers integrated with Mach-Zehnder optical modulator and a power booster fabricated by selective area growth MOVPE technique
机译:
DFB激光器集成了Mach-Zehnder光调制器和通过选择性区域生长MOVPE技术制造的功率增强器
作者:
Tanbun-Ek
;
T.
;
Sciortino
;
P.F.
;
Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
45.
DFB lasers with integrated electroabsorption modulator
机译:
具有集成电吸收调制器的DFB激光器
作者:
Binsma J.J.M.
;
Kuindersma P.I.
;
van Gestel P.
;
Cuypers G.P.J.M.
;
Peeters R.
;
van Dongen T.
;
Thijs P.J.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
46.
Dielectric waveguides fabricated on InP by photochemical process for OEICs
机译:
通过光化学工艺在InP上制造OEIC的介电波导
作者:
Sayah
;
A.
;
Nissim
;
Y.I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
47.
Direct bonding of high quality InP on Si and its application to low threshold semiconductor lasers
机译:
高质量InP在Si上的直接键合及其在低阈值半导体激光器中的应用
作者:
Mori
;
K.
;
Tokutome
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
48.
Distribution of As atoms in InP/InPAs(1 ML)/InP hetero-structures measured by X-ray CTR scattering
机译:
X射线CTR散射测量InP / InPAs(1 ML)/ InP异质结构中的As原子分布
作者:
Tabuchi
;
M.
;
Fujibayashi
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
49.
Donor passivation in n-AlInAs layers by fluorine
机译:
氟对n-AlInAs层中的施主钝化
作者:
Yamamoto Y.
;
Hayafuji N.
;
Fujii N.
;
Kadoiwa K.
;
Yoshida N.
;
Sonoda T.
;
Takamiya S.
;
Mitsui S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
50.
Effect of (GaP)/sub m//(InP)/sub m/ short period binary superlattice period on quantum wire formation by strain induced lateral layer ordering in GaInP/AlInP multi-quantum-wire lasers
机译:
GaInP / AlInP多量子线激光器中(GaP)/ sub m //(InP)/ sub m /短周期二元超晶格周期对应变诱导的横向层有序化对量子线形成的影响
作者:
Yoshida
;
J.
;
Kikuchi
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
51.
Effect of annealing conditions on the uniformity of undoped semi-insulating InP
机译:
退火条件对非掺杂半绝缘InP均匀性的影响
作者:
Kainosho
;
K.
;
Ohta
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
52.
Effects of hydrogen on InP light-emitting devices etched in a methane-hydrogen environment
机译:
氢对甲烷-氢环境中刻蚀的InP发光器件的影响
作者:
Beck
;
P.
;
Derickson
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
53.
Electrical properties of the hydrogen defect in InP and the microscopic structure of the 2316 cm/sup -1/ hydrogen related line
机译:
InP中氢缺陷的电学性质和2316 cm / sup -1 /氢相关谱线的微观结构
作者:
Bliss
;
D.F.
;
Bryant
;
G.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
54.
Electronic and structural properties of thin SrF/sub 2/ films on InP
机译:
InP上SrF / sub 2 /薄膜的电子和结构特性
作者:
Heun
;
S.
;
Sugiyama
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
55.
Fabrication and performance of a novel ultra-low capacitance MSM photodetector for high-speed OEIC receiver applications
机译:
用于高速OEIC接收器应用的新型超低电容MSM光电探测器的制造和性能
作者:
John
;
E.
;
Wen-Yen Hwang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
56.
Fabrication of 60 nm-pitch ordered InP pillars by EB-lithography and anodization
机译:
通过EB光刻和阳极氧化制备60 nm间距的有序InP柱
作者:
Takizawa
;
T.
;
Nakahara
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
57.
Fabrication of a polarization insensitive electroabsorption modulator with strained InGaAs/InAlAs MQW by MOVPE
机译:
利用MOVPE制备具有应变InGaAs / InAlAs MQW的偏振不敏感电吸收调制器
作者:
Kondo
;
S.
;
Wakita
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
58.
Fabrication of InP-based quantum-wires and its application to lasers
机译:
基于InP的量子线的制备及其在激光器中的应用
作者:
Arai
;
S.
;
Tamura
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
59.
Fabrication of polarization diversity heterodyne receiver PICs on InP: status, challenges and perspectives
机译:
InP上极化分集外差接收机PIC的制造:现状,挑战和观点
作者:
Kaiser
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
60.
First order gratings for gain coupled GaInAsP DFB-lasers made by maskless focused ion beam patterning
机译:
通过无掩模聚焦离子束构图制成的用于增益耦合GaInAsP DFB激光器的一阶光栅
作者:
Reithmaier
;
J.P.
;
Orth
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
61.
Focused ion beam implantation-induced disordering in InGaAsP MQW heterostructures studied by photoluminescence
机译:
聚焦离子束注入引起的InGaAsP MQW异质结构无序通过光致发光研究
作者:
Elenkrig
;
B.B.
;
Yang
;
J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
62.
Formation of PN/sub x//InP structure by in-situ remote plasma processes
机译:
通过原位远程等离子体工艺形成PN / sub x // InP结构
作者:
Sakamoto
;
Y.
;
Sugino
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
63.
Free-orientation integration by direct bonding: fabrication of 001 InP-based 1.55 /spl mu/m-wavelength lasers on 110 GaAs substrate
机译:
通过直接键合进行自由取向集成:在110 GaAs衬底上制造001基于InP的1.55 / spl mu / m波长激光器
作者:
Okuno
;
Y.
;
Aoki
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
64.
Frequency analysis of the kink effect in AlInAs/GaInAs HEMTs
机译:
AlInAs / GaInAs HEMT中扭结效应的频率分析
作者:
Klepser B.-U.H.
;
Patrick W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
65.
GaAs heteroepitaxy on InP (001) surfaces studied by scanning tunneling microscopy
机译:
通过扫描隧道显微镜研究InP(001)表面上的GaAs异质外延
作者:
Ohkouchi
;
S.
;
Ikoma
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
66.
GaInAsP/InP multiple-reflector micro-cavity structure fabricated by EB lithography and selective etching
机译:
EB光刻和选择性刻蚀制备的GaInAsP / InP多腔微腔结构
作者:
Ki-Chul Shin
;
Tamura
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
67.
Graded-GaAs/sub 1-x/P/sub x/ base in heterojunction bipolar transistors with InGaP emitters
机译:
具有InGaP发射极的异质结双极晶体管中的渐变GaAs / sub 1-x / P / sub x /基极
作者:
Ohkubo
;
M.
;
Ikeda
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
68.
Group-V atoms exchange due to exposure of InP surface to AsH/sub 3/(+PH/sub 3/) measured by X-ray CTR scattering
机译:
由于InP表面暴露于通过X射线CTR散射测量的AsH / sub 3 /(+ PH / sub 3 /)中,V组原子交换
作者:
Yamada
;
N.
;
Fujibayashi
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
69.
Growth and characterization of InGaAs/InAlAs in-plane superlattices on 110 InP
机译:
110 InP上InGaAs / InAlAs平面超晶格的生长和表征
作者:
Nakata
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
70.
Growth condition dependence of n-type carriers at the interface between InP substrates and epitaxial layers grown by MOCVD
机译:
InP衬底与通过MOCVD生长的外延层之间的界面处n型载流子的生长条件依赖性
作者:
Nakamura
;
M.
;
Kurita
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
71.
Growth studies on AlPSb, GaPSb new ternary III-V compounds for InP-based surface emitting lasers
机译:
用于InP基表面发射激光器的AlPSb,GaPSb新三元III-V化合物的生长研究
作者:
Shimomura
;
H.
;
Anan
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
72.
GSMBE growth of InGaAsP with an 'on site' arsine generator
机译:
带有“现场”砷化氢发生器的InGaAsP的GSMBE生长
作者:
Gentner
;
J.-L.
;
Labrune
;
P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
73.
Heavily carbon doped InGaAs lattice matched to InP grown by LP-MOCVD using TMIn, TMGa and liquid CCl/sub 4/
机译:
使用TMIn,TMGa和液态CCl / sub 4 /的重碳掺杂InGaAs晶格与通过LP-MOCVD生长的InP匹配
作者:
Hong
;
K.
;
Pavlidis
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
74.
High electron mobility 18,300 cm/sup 2//V/spl middot/s InAlAs/InGaAs pseudomorphic structure by channel indium composition modulation
机译:
通过沟道铟成分调制实现高电子迁移率18,300 cm / sup 2 // V / spl middot / s InAlAs / InGaAs拟晶结构
作者:
Nakayama
;
T.
;
Miyamoto
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
75.
High electron mobility in heavily doped bases of InP/GaInAs HBTs
机译:
InP / GaInAs HBT重掺杂碱中的高电子迁移率
作者:
Betser Y.
;
Ritter D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
76.
High Gm MBE-grown InP based HEMTs with a very low contact resistance triple capping layer
机译:
高Gm MBE生长的InP基HEMT,具有非常低的接触电阻三层覆盖层
作者:
Higuchi
;
K.
;
Mori
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
77.
High output power operation of 1.3 /spl mu/m strained MQW lasers with low threshold currents at high temperature
机译:
1.3 / spl mu / m应变MQW激光器在高温下具有高阈值电流的高输出功率运行
作者:
Kito
;
M.
;
Sakai
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
78.
High power and narrow lateral far field divergence 1.5 /spl mu/m-eye-safe pulse laser diodes with flared waveguide
机译:
高功率和窄侧向远场发散度1.5 / spl mu / m带有扩口波导的人眼安全脉冲激光二极管
作者:
Tamanuki
;
T.
;
Sasaki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
79.
High power InGaAsP/InP 1.625 /spl mu/m strained quantum well lasers
机译:
高功率InGaAsP / InP 1.625 / splμ/ m应变量子阱激光器
作者:
Munakata
;
T.
;
Kashima
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
80.
High speed, high gain InP-based heterostructure FETs with high breakdown voltage and low leakage
机译:
具有高击穿电压和低泄漏的高速,高增益基于InP的异质结构FET
作者:
Prost
;
W.
;
Tegude
;
F.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
81.
High temperature operation of AlGaInAs/InP lasers
机译:
AlGaInAs / InP激光器的高温操作
作者:
Zah C.E.
;
Bhat R.
;
Lee T.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
82.
High-efficiency monolithic InGaP/GaAs tandem solar cells with improved top-cell back-surface-field layers
机译:
具有改进的顶部电池背表面场层的高效整体式InGaP / GaAs串联太阳能电池
作者:
Kurita
;
H.
;
Takamoto
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
83.
High-efficiency, dual-wavelength, wafer-fused resonant-cavity photodetector operating at long wavelengths
机译:
高效率,双波长,晶片融合的谐振腔光电探测器,可在长波长下工作
作者:
Murtaza
;
S.S.
;
Tan
;
I.-H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
84.
Highly efficient low temperature growth of GaInP in a planetary MOVPE system using tertiarybutylphosphine (TBP)
机译:
使用叔丁基膦(TBP)的MOVPE行星系统中GaInP的高效低温生长
作者:
Beccard
;
R.
;
Knauf
;
J.
会议名称:
《》
|
1995年
85.
High-mobility Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As/InP heterostructure by atmospheric-pressure MOVPE using cyclopentadienyl indium
机译:
大气压MOVPE使用环戊二烯基铟进行高迁移率Ga / sub 0.47 / In / sub 0.53 / As / InP异质结构
作者:
Usuda
;
M.
;
Sato
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
86.
High-performance enhancement-mode InAlAs/InGaAs HEMTs using non-alloyed ohmic contact and Pt-based buried-gate
机译:
使用非合金欧姆接触和基于Pt的掩埋栅的高性能增强模式InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Chen
;
K.J.
;
Enoki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
87.
High-quality Zn-diffused InP-related materials fabricated by the open-tube technique
机译:
通过开管技术制造的高质量Zn扩散InP相关材料
作者:
Tsuchiya
;
T.
;
Taniwatari
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
88.
High-spatial-resolution characterization of residual strain in commercial LEC-grown InP(100) wafers
机译:
商业化LEC生长的InP(100)晶圆中残余应变的高空间分辨率表征
作者:
Fukuzawa
;
M.
;
Yamada
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
89.
High-speed InP/InGaAs HBT with reduced intrinsic transit time
机译:
高速InP / InGaAs HBT,缩短了固有传输时间
作者:
Khrenov G.
;
Kulkova E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
90.
High-speed InP-based strained MQW ridge waveguide laser
机译:
基于InP的高速应变MQW脊形波导激光器
作者:
Gutierrez-Aitken A.L.
;
Yoon H.
;
Bhattacharya P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
91.
High-speed waveguide photodetectors
机译:
高速波导光电探测器
作者:
Kato K.
;
Akatsu Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
92.
Improved selective growth of InP around dry-etched mesas by LP-MOCVD at low growth temperature
机译:
LP-MOCVD在低生长温度下改善了InP在干蚀刻台面周围的选择性生长
作者:
Takemi
;
M.
;
Kimura
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
93.
Improvement in Schottky diode characteristics of metal-In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As contact using an in situ photochemical etching and surface passivation process
机译:
通过原位光化学刻蚀和表面钝化工艺改善金属-In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As接触的肖特基二极管特性
作者:
Habibi
;
S.
;
Totsuka
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
94.
In/sub 0.52/(Al/sub 0.9/Ga/sub 0.1/)/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.4/$ d7As HEMTs on InP substrates
机译:
InP基板上的In / sub 0.52 /(Al / sub 0.9 / Ga / sub 0.1 /)/ sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.4 / $ d7As HEMT
作者:
Chia-Song Wu
;
Yi-Jen Chan
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
95.
In/sub x/Ga/sub 1-x/As/InAs/sub y/P/sub 1-y/ detector for near infrared (1-2.6 /spl mu/m)
机译:
In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InAs / sub y / P / sub 1-y /近红外检测器(1-2.6 / spl mu / m)
作者:
Murakami
;
T.
;
Takahasi
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
96.
In/sub x/Ga/sub 1-x/As/InP multiquantum well structures grown on 111B InP substrates
机译:
在111 B InP衬底上生长的In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InP多量子阱结构
作者:
Hopkinson
;
M.
;
David
;
J.P.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
97.
InAlAs/InGaAs HEMT using InGaP Schottky contact layer
机译:
使用InGaP肖特基接触层的InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Amano M.
;
Fujita S.
;
Hosoi S.
;
Noda T.
;
Sasaki A.
;
Ashizawa Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
98.
InAlGaAs selective MOVPE growth with bandgap energy shift
机译:
带隙能移的InAlGaAs选择性MOVPE生长
作者:
Takeuchi T.
;
Tsuji M.
;
Makita K.
;
Taguchi K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
99.
InAs/InGaAs self-assembled quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在(311)B GaAs上生长的InAs / InGaAs自组装量子点
作者:
Nishi
;
K.
;
Mirin
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
100.
InAsP/InGaP all ternary strain-compensated multiple quantum wells and its application to long wavelength lasers
机译:
InAsP / InGaP所有三元应变补偿多量子阱及其在长波长激光器中的应用
作者:
Yokouchi
;
N.
;
Yamanaka
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1995. Conference Proceedings., Seventh International Conference on》
|
1995年
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