机译:反相直接键合及其在GaAs衬底上制造基于InP的1.55μm波长激光器的应用
机译:阈值电流为1.3- / splμ/ m体积,1.55- / splμ/ m体积和1.55- / splμ/ m3 MQW DFB P衬底部分倒置的埋入式异质结构激光二极管
机译:InGaAs / InP HBT和1.55 / spl mu / m应变MQW p衬底激光器的垂直集成
机译:通过直接键合的自由定向集成:在110 GaAs衬底上的基于INP的1.55 / SPL MU / M波长激光器的制造
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:1.55μmInAs / InP基量子点激光器的效率限制过程
机译:激光雷达1996年,最终报告。 (1.55微米的相干和直接探测激光雷达)(slutrapport Laserradar 1996(Koherent och Direktdetekterande Laser Radar vid1.55μm))