基于氮化镓全球专利布局特点推进我国氮化镓产业创新发展

摘要

由于横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)器件物理层面已处于极限状态,因此5G基站采用了射频氮化镓器件取代LDMOS器件.氮化镓属于宽禁带半导体,可承受更高的工作电压,工作温度和功率密度,因而其能耗、频率等方面品质更优.从年度申请量、申请人、地域分布、技术分布等多个角度对全球氮化镓及氮化镓功率放大器的专利布局进行分析,基于专利数据特点,从专利层面提出推动我国氮化镓企业知识产权能力建设的建议.