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基于多孔氮化镓的HVPE法生长氮化镓单晶

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目录

第1章 绪论

1.1 氮化镓的结构与特性

1.2 氮化镓体单晶生长方法

1.3 HVPE法生长自支撑氮化镓衬底

1.4 同质衬底外延氮化镓

1.5 本文的工作安排

第2章 实验平台及表征方法

2.1 HVPE生长氮化镓的基本理论

2.1.1 HVPE生长氮化镓的热力学理论

2.1.2 HVPE系统的工作原理

2.2 GaN材料的表征

2.2.1 扫描电子显微镜

2.2.2 高分辨X射线衍射

2.2.3 拉曼光谱

2.2.4 光致发光谱

2.2.5 原子力显微镜

2.2.6 二次离子质谱仪

第3章 二氧化硅胶体旋涂制备多孔氮化镓及HVPE氮化镓厚膜剥离

3.1 二氧化硅胶体旋涂法制备自支撑氮化镓衬底的生长工艺

3.2 匀胶机转速对纳米二氧化硅球层均匀性的影响

3.3 多孔氮化镓层厚度对高质量氮化镓厚膜的影响

3.4 使用多孔氮化镓结构衬底生长自支撑氮化镓衬底

3.4.1 自支撑氮化镓晶体的残余应力

3.4.2 自支撑氮化镓晶体的曲率半径

3.4.3 自支撑氮化镓晶体的位错密度

3.5 本章小结

第4章 原位氮化金属钛膜法制备多孔氮化镓层实现氮化镓厚膜剥离

4.1 原位氮化金属钛膜法制备自支撑氮化镓衬底的工艺流程

4.2 磁控溅射制备金属钛膜

4.2.1 磁控溅射原理

4.2.2 磁控溅射镀金属Ti膜

4.3 不同退火条件对纳米网结构氮化钛层的影响

4.4 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓质量的影响

4.4.1 不同Ⅴ/Ⅲ比对多孔氮化镓层孔隙的影响

4.4.2 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓厚膜结晶质量的影响

4.4.3 不同Ⅴ/Ⅲ比对氮化镓厚膜中位错的抑制效果

4.5 使用多孔氮化镓结构衬底生长自支撑氮化镓衬底

4.6 本章小结

第5章 自支撑氮化镓衬底的性质研究

5.1 自支撑氮化镓衬底的结构分析

5.2 自支撑氮化镓衬底的光学特性

5.3 自支撑氮化镓衬底的杂质含量

5.4 本章小结

第6章 结论

参考文献

攻读学位期间所取得的相关科研成果

致谢

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著录项

  • 作者

    董增印;

  • 作者单位

    河北工业大学;

  • 授予单位 河北工业大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 杨瑞霞;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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