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朱丽虹; 李晓莹; 刘宝林;
厦门大学物理系,福建,厦门,361005;
低压金属有机化学气相沉积; 氮化镓; 侧向外延生长; 原子力显微镜; 扫描电子显微镜; 拉曼散射谱;
机译:缺陷侧向外延生长的a面GaN上具有驱动电流独立电致发光发射峰的非极性InGaN / GaN发射极
机译:结直肠酸是一种大规模生产的GaN-MOCVD装置,批量生产型GaN-MOCVD装置,是名古屋技术研究所的大型世界“氮化物半导体企业中心”
机译:圆锥形蓝宝石衬底和温度对通过MOCVD外延生长p-GaN的影响
机译:由等离子辅助分子束外延生长的GaN层的表面形态,MOCVD-生长的GaN模板
机译:通过新颖的衬底改性技术在GaN上进行GaN的MOCVD生长。
机译:在MOCVD中通过GaN热分解制备低密度GaN / AlN量子点
机译:GaN横向外延生长中侧壁小面演化的MOCVD机理
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:外延生长用基板,GaN半导体膜的制造方法,GaN半导体膜,GaN半导体发光元件的制造方法以及GaN半导体发光元件
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