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倪洪亮; 吴金星;
中国船舶重工集团公司第七二三研究所 江苏扬州225101;
西安电子科技大学 陕西西安710071;
GaN高电子迁移率晶体管; AlN缓冲层; 金属有机化学气相沉淀; 脉冲原子层外延;
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r面蓝宝石衬底上进行a面GaN膜的MOCVD生长的比较研究
机译:使用GaN,AlGaN和AlN缓冲层在r平面蓝宝石衬底上MOCVD生长a平面GaN膜的比较研究
机译:低温AlN成核层的厚度对通过MOCVD法在双步AlN缓冲层上生长的GaN的材料性能的影响
机译:使用AlAs,AlAs / GaAs和AlN缓冲层的低压MOCVD在硅衬底上外延生长GaN
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译:用于GAN基光电器件的GAN- PVD ALN氧气控制的PVD ALN缓冲装置
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