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寇青明; 钮市伟; 王永光; 朱玉广; 谢雨君; 雷翔宇;
苏州大学机电工程学院 江苏苏州215000;
GaN; 电化学刻蚀; 化学机械抛光(CMP); 表面粗糙度; 去除速率;
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:化学机械抛光中晶片表面压力与晶片背面载荷之间的关系
机译:化学机械抛光的理论模型及实验分析,浆料磨蚀深度和硅晶片表面形貌的影响
机译:化学机械抛光,用于装饰和测量独立式GaN晶片上的位错
机译:半导体晶片的化学机械抛光:预测晶片表面形状的表面元素建模和仿真
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:焊盘表面粗糙对大直径硅晶片化学机械抛光中施加到GaN基LED衬底的影响
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:N型GaN晶体,GaN晶片和制造GaN晶体,GaN晶片和氮化物半导体器件的方法
机译:n型GaN晶体,GaN晶片和GaN晶体,GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法
机译:N型GaN晶体,GaN晶片和GaN晶体,GaN晶片和氮化物半导体器件的生产方法
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