North Carolina Agricultural and Technical State University.;
机译:化学机械抛光中晶片表面压力与晶片背面载荷之间的关系
机译:化学机械抛光的理论模型及实验分析,浆料磨蚀深度和硅晶片表面形貌的影响
机译:用化学辅助双盘磁磨料精加工抛光硅晶片Si(100)统计建模与表面纹理研究
机译:半导体晶片的化学机械抛光:表面元素建模和仿真预测晶片表面形状
机译:基于统计分析和基于传感器的用于半导体应用的铜覆盖晶片的电化学机械抛光(ECMP)建模。
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:采用非吸收化学 - 机械抛光,GaAs晶片表面平滑粗糙度模型