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郭钰; 彭同华; 刘春俊; 袁文霞; 蔡振立; 张贺; 王波;
北京天科合达半导体股份有限公司;
新疆天富能源股份有限公司;
新疆天科合达蓝光半导体有限公司;
北京科技大学;
碳化硅; 化学机械抛光; pH值; 压力; 双氧水;
机译:超光滑表面原子台阶形态对蓝宝石和SiC晶片化学机械抛光(CMP)性能的影响
机译:大气和紫外线辐射对SiC晶片化学机械抛光特性的影响
机译:4H-SIC晶片光催化辅助化学机械抛光材料去除机制研究
机译:掺杂剂浓度对150mm 4H SiC晶片脱位分布的影响
机译:波长调制吸收光谱和低温光致发光研究4H SiC中自由激子的能级结构
机译:Si晶片上生长的垂直导电单晶SiC基Bragg反射镜
机译:用于高温MEMS传感器的4H和6H SiC晶片的脉冲激光烧蚀和微加工
机译:氮对4H和6H-siC导电带边缘附近界面态密度的影响
机译:可提高晶片表面质量的化学机械抛光装置及使用该化学机械抛光方法的晶片
机译:工件表面的精细加工包括如果超过最大偏差,则通过使用定义的函数来改变影响参数,从而调节至少一个描述表面质量的参数
机译:用于抛光半导体晶片上的导电和非导电层的化学机械抛光浆料组合物
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