Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

摘要

针对沟道长度为 5 0nm的UTBSOI器件进行了交流模拟工作 ,利用器件主要的性能参数 ,详细分析了UTB结构的交流特性 .通过分析UTBSOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响 ,对器件结构进行了优化 .最终针对UTBSOIMOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法 ,从而实现了结构参数的优化选取 。