Radio frequency; Meausrement uncertainity; Models; Uncertainity equations; Modeling; Characterization; High frequency; Methods;
机译:采用绝缘体上硅(SOI)CMOS技术实现的MOSFET和基本电路的高温特性高达450℃
机译:多阈值深亚微米SOI CMOS技术中低失真MOSFET-C模拟结构的表征和设计方法
机译:超薄体部分绝缘的MOSFET与体MOSFET的混合集成,可实现更好的IC性能:采用部分SOI结构的多种技术
机译:在体硅和完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)衬底上的PVD TiN金属栅MOSFET,用于深度不到四分之一微米的CMOS技术
机译:将批量驱动的MOSFET扩展到can级批量CMOS技术
机译:采用22 nm节点CMOS技术的SiH4和B2H6前体的ALD W填充金属功能的pMOSFET
机译:具有改进的驱动mOsFET建模的功率意识互连缓冲器优化及其对体和sOI CmOs技术的影响
机译:批量CmOs VLsI技术研究。第1部分:可扩展CmOs设计规则。第2部分pLa(可编程逻辑阵列)设计的CmOs方法