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张兴;
MOS场效应晶体管;
机译:具有多阶场板的绝缘体上高压硅上线性可变掺杂的薄硅层的击穿电压模型和结构实现
机译:具有接口n〜+ -island的薄硅层p沟道SOI / PSOI LDMOS,适用于高压应用
机译:SOI高压器件顶部硅层上垂直击穿电压对杂质浓度的新分析模型
机译:用于制造SOI硅晶片的H +注入的硅中的薄硅层的分层-基本现象和分层的硅层的性能
机译:使用与SOI-CMOS兼容的增强击穿电压的MESFET进行节能的RF发送器设计。
机译:优化的薄硅柱二维阵列可在可见光谱范围内提供高效抗反射涂层
机译:低温下在Mn0.5Si0.5层上形成薄保护硅层的过程
机译:高阻硅的发光现象研究及低电阻率硅隧道电学特性研究半年度进展报告,1969年9月20日 - 1969年3月20日
机译:制备薄SOI设备的方法,能够获得制造ETSOI的薄硅膜的均匀性(绝缘体上的极薄硅)
机译:薄化“硅到绝缘子”(soi)类型衬底的有源硅层的方法
机译:减少薄埋氧化层的极薄SOI(ETSOI)层地面中毒的方法
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