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目录
第一章 绪论
1.1 纳米CMOS器件存在的主要问题及解决措施
1.2 应变硅技术及其发展
1.3论文的主要研究工作和研究内容
第二章 应变硅SOI技术及短沟道SOI MOSFET基础理论
2.1 SOI技术
2.2 应变硅技术
2.3 SOI MOSFET器件的基本特性
2.4短沟道全耗尽SOI MOSFET建模基础
2.5 全耗尽SOI MOSFET的亚阈值模型
2.6 本章小结
第三章 单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET性能分析
3.1 Halo LDD MOSFET器件
3.2 Halo MOS器件的理论分析
3.3单Halo全耗尽应变Si SOI MOSFET的性能研究
3.4 本章小结
第四章 新型双栅应变Si SOI MOSFET性能分析
4.1 新型双栅MOSFET的提出背景
4.2 堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si SOI MOSFET的研究
4.3 对称三材料双栅应变Si SOI MOSFET的研究
4.4 本章小结
第五章 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET性能分析
5.1 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET提出背景
5.2 非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET的研究
5.3 本章小结
第六章 结论和展望
6.1 研究结论
6.2研究展望
参考文献
致谢
作者简介
西安电子科技大学;