在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶

摘要

：研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）方法在Ｃ面及Ｒ面蓝宝石衬底上外延生长ＧａＮ单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对ＧａＮ外延生长的影响；提出了不同的衬底晶向对外延ＧａＮ表面形貌产生影响的机制。