机译:生长过程中原位热处理对MOVPE在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层晶体质量的影响
Gallium nitride; Metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE);
机译:硅烷流量对原位SiN处理在蓝宝石衬底上MOVPE生长的GaN的影响
机译:在图案化蓝宝石衬底上生长的GaN癫痫晶体质量和光学性能的性能提高
机译:通过原位H_2预处理提高了在多孔SiC衬底上生长的GaN外延层的质量
机译:具有深蓝宝石 - 氮化的Movpe-生长的GaN癫痫仪的结晶度和极性操纵,然后在高温下预先耕作
机译:在4H和6H碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的生长机理和缺陷结构。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:Movpe反应器中蓝宝石衬底上GaN牺牲层的原位制备用于过度分离GaN晶体
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层