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目录
1 绪论
1.1 AlN薄膜及GaN、InGaN量子点的研究意义
1.2 氮化物的基本性质介绍
1.3 量子点的相关理论介绍
1.4 本论文的研究内容
1.5 本论文的创新性工作
2 MOCVD外延生长技术介绍
2.1 MOCVD生长氮化物的基础理论
2.2 MOCVD中生长模式的介绍
2.3 材料生长面临的挑战
2.4 本章小结
3 AlN薄膜的MOCVD生长研究
3.1 AlN材料生长的发展历史
3.2 AlN的生长结构
3.3 衬底表面处理工艺的研究
3.4 低温AlN成核层生长工艺的研究
3.5 PALE AlN生长工艺的研究
3.6 本章小结
4 GaN量子点的MOCVD生长研究
4.1 GaN量子点的研究现状
4.2 AlN模板上S-K模式生长GaN量子点工艺的研究
4.3 AlN模板上droplets epitaxy方法生长GaN量子点工艺的研究
4.4 Caplayer生长工艺的研究
4.5 P-GaN上droplets epitaxy方法生长GaN量子点工艺的研究
4.6 本章小结
5 InGaN量子点的MOCVD生长研究
5.1 InGaN量子点的研究现状
5.2 GaN模板生长工艺的研究
5.3 GaN模板上S-K模式生长InGaN量子点工艺的研究
5.4 本章小结
6 总结与展望
6.1 总结
6.2 展望
致谢
参考文献
附录1 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录