机译:在蓝宝石和硅(111)衬底上生长的GaN模板上的InN膜的MOVPE
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC); atomic force microscopy (AFM); Ⅲ-Ⅴ semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:ZnO缓冲硅,散装GaN,石英和蓝宝石基板上的溅射成长薄膜的结构,电气和光学性质
机译:在3c-SiC / Si(111)和蓝宝石上生长MOVPE InN膜的比较研究
机译:使用化学剥离和室温直接晶片键合以及GaN晶片规模在ZnO缓冲蓝宝石上进行GaN晶片规模的MOVPE生长,从蓝宝石转移到玻璃基板的MOVPE GaN薄膜的结构和成分表征
机译:从SI(111)和蓝宝石(0001)基板上的INN 2.2eV附近的可见排放由电子回旋谐振等离子体辅助分子束外延
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:用RF-MOMBE研究GaN模板上生长的InN外延膜和纳米棒
机译:生长在垂直c形棱镜形状的InN纳米壁网络 通过化学气相沉积技术的c-GaN /蓝宝石模板
机译:在(00-1)蓝宝石,(100)和(111)硅衬底上生长的高质量aIN和GaN外延层