电场对InAs/InAlAs圆形截面量子线中激子态的影响

摘要

基于有效质量包络函数近似理论,采用变分法计算了InAs/InxAl1-xAs圆形截面量子线中的基态激子结合能和发射能.计算过程主要考虑了量子线半径、材料组分和外加电场的影响.理论研究表明,随着量子线半径的减小,激子结合能先增大到最大值,然后继续减小;Al组分越高,激子的结合能越高;较小强度的外加电场对激子结合能影响不大,而较大强度的外加电场会破坏激子效应.此外,还发现较大的量子线半径对电场更敏感.发射能与量子线半径、电场强度之间呈非线性关系,发射能随半径或电场的增大而减小.