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张子旸; 金鹏; 曲胜春; 李成明; 孟宪权; 徐波; 叶小玲; 王占国;
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室;
量子点; 光致发光; 能级间距; InAlAs/InGaAs复合限制层;
机译:强烈不匹配的GaAs和InAs在Inalas缓冲层中的影响在变质InAs(Sb)/ InGaAs / Inalas / GaAs量子限制异质结构的结构和光学性质上
机译:快速热退火对被InAlAs / InGaAs层覆盖的自组装InAs / GaAs量子点的结构和光学性质的影响
机译:InAlAs / InGaAs复合基质的InAs量子点的光学性质
机译:势垒层对量子点分子光学和电子性质的影响
机译:通过InAlAs中间层改变GaAsSb封盖的InAs量子点的光学性质
机译:ICp - aEs法测定Inas / InGaas / Inalas量子阱中的空穴g因子 磁光致发光研究
机译:基于alGaas基复合Inalas / Inas垂直耦合量子点的注入式激光器。
机译:量子点,量子点发光二极管,量子点膜和光转换树脂组合物,其包括量子点,滤色器和由该复合物和由该显示装置构成的层压材料的光转换层合材料
机译:胶体量子点复合发光层,应用复合发光层的发光器件以及制造发光器件的方法
机译:具有不同种类的复合结构的量子点层的量子点发光装置
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