Quantum dots Strain InAlAs/GaAsSb III–V semiconductors;
机译:通过Inalas中间层改变Gaassb封装InAs量子点的光学性质
机译:强烈不匹配的GaAs和InAs在Inalas缓冲层中的影响在变质InAs(Sb)/ InGaAs / Inalas / GaAs量子限制异质结构的结构和光学性质上
机译:点尺寸分布和层间厚度对生长中断的紧密堆积的InAs / GaAs量子点光学性能的影响
机译:观察Gaassb封装InAs量子点的光学各向异性
机译:自组装InAs量子点的电子结构和光学性质。
机译:站点选择性地生长INAS / INP量子点的光学性质具有通过嵌段共聚物光刻预定定位的预定定位
机译:通过Inalas中间层改变Gaassb封装InAs量子点的光学性质
机译:基于alGaas基复合Inalas / Inas垂直耦合量子点的注入式激光器。