首页> 中文期刊> 《光谱学与光谱分析》 >电场对量子阱中激子能级宽度的影响

电场对量子阱中激子能级宽度的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文把固体中在较大空间范围运动的粒子作为准经典粒子来描述.将已导出的能量测不准公式和激子的经典力学模型应用到电场下GaAs/GaAlAs量子阱中,激子能级宽度的计算结果与测量结果基本吻合,能较清楚、简单地解释纵向电场和横向电场下激子光吸收线宽的很大的差异.

著录项

来源
《光谱学与光谱分析》 |2001年第6期|749-751|共3页
作者
付方正;
展开▼
作者单位

南昌大学物理系,江西,南昌,330047;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类极化与激子理论;
关键词
电场; 量子阱; 激子能级宽度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 超晶格量子阱中激子能级宽度 [J] . 何治江 . 科技与生活 . 2012,第012期
2. 电场对量子阱中激子的影响 [J] . 蔡敏 . 吉林大学学报（理学版） . 1990,第002期
3. GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质 [J] . 张福甲 ,虎志明 . 半导体光电 . 1994,第3期
4. 势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响 [J] . 朱嘉麟 ,唐道华 ,顾秉林 . 半导体学报：英文版 . 1989,第8期
5. 外电场作用下氮化物无限抛物量子阱中激子的能级 [J] . 邢德胜1 ,胡文弢2 ,王顺利1 . 集宁师范学院学报 . 2017,第003期
6. 阱间耦合效应对Zn<,1-x>Cd<,x>Se/ZnSe量子阱中双激子发光谱的影响 [C] . . 第五届全国分子束外延学术会议 . 1999
7. 外电场下半导体量子阱中的激子和杂质态 [A] . 吴云峰 . 2006

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号