InGaAs／InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响

摘要

采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小，且向长波长移动。InGaAs／InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能，使得室温发光波长超过1.3μm；在10-300K温度范围内，发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高，InAs量子点的发光寿命首先增大，当温度升高到临界温度Tc后，发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品，其发光寿命具有不同的温度关系，联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。