器件结构

摘要： 泛林集团发布新产品Syndion GP,为芯片制造商提供深硅刻蚀技术,以开发新一代用于汽车、电力传输和能源行业的功率器件及电源管理集成电路。随着上述领域的技术日趋先进,对芯片更高功率、更优性能和更大容量的需求日益提高,这要求进一步提升更高深宽比结构的跨晶圆均匀性。这些完善通过采用先进的器件结构即可实现,无需牺牲外形因素。为此,器件制造商需要具备极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺。

摘要： 采用正交实验设计方法,通过Matlab模拟研究了聚合物太阳能电池(PSC)结构对电池内部光强分布的影响。结果表明,阳极修饰层和光敏层的影响较大、阴极修饰层的影响较小,引入厚度合适的阳极或阴极修饰层有利于增加光敏层内部的光强,PSC结构优化对电池光伏性能的提升具有重要作用。

摘要： 为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理.在此基础上对同类产品进行优化,详细阐述新结构工艺原理与实现方式,分别从器件结构、工作原理、不同结构的优劣点等方面对比改进前后两种不同结构光电二极管的特性.从工艺参数选取角度详细分析改进后的光电二极管对衬底类型、衬底电阻率的选择,以及对增透抗反膜结构及厚度的确定;对器件的ID暗电流参数控制等优化也进行了讨论.

摘要： 自2009年以来,有机-无机卤化物钙钛矿因其独特的光学和电学性能,在光电材料领域受到了广泛的研究,尤其是Pb基的卤化物钙钛矿太阳能电池,目前光电转换效率高达创纪录的约25.2％,显示出强大的商业化潜力.然而,Pb元素的毒性及因而导致的环境隐患问题,一直是其产业化过程中的顾虑之一.因此,寻求能替代Pb的环境友好的元素,是一个十分重要的课题.Pb基钙钛矿材料优异的光电特性来源于pb2+的最外层6s2孤对电子,与Pb元素同主族的Sn元素能够形成三维钙钛矿结构且同样具有惰性5S2外层电子结构,因而是替代Pb的首选.本文系统地介绍了Sn基钙钛矿的光学和电学性质,并从薄膜制备方法和不同的器件结构方面介绍Sn基钙钛矿太阳能电池的最新进展.

摘要： 随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求.FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用.主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构.最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望.

摘要： 钙钛矿太阳电池及其叠层电池发展迅速,成为当前光伏领域的研究热点.有机无机卤化钙钛矿材料具有吸收系数高、带隙可调、制备工艺简单等优点,其单结太阳电池实验室效率从2009年的3.8％迅速提升到25.2％,两端钙钛矿/硅叠层太阳电池效率达到29.15％.钙钛矿太阳电池种类丰富,依据器件结构主要分为介孔型钙钛矿太阳电池和平面型(nip结构和pin结构)钙钛矿太阳电池.大量研究工作通过钝化工程、添加剂工程、能级匹配工程、组分工程等先进技术获得高质量的钙钛矿吸收层和光电性能好、低成本、无污染的电荷传输层,提升电荷提取效率,使得每种器件结构均能实现22％以上的超高效率.但常规钙钛矿材料光、湿、热稳定性差,部分研究通过改善吸收层的成分,研发出准二维钙钛矿太阳电池与全无机钙钛矿太阳电池,更加贴合实际应用.考虑到不同的应用场景,钙钛矿太阳电池又进一步分化出柔性钙钛矿太阳电池与半透明钙钛矿太阳电池,透明导电电极的研发成为该领域的重要突破方向.基于钙钛矿的叠层电池中,高效钙钛矿/硅叠层电池是研究重点,通过优化陷光策略和添加剂工程等方法降低光学损失与电学损失,能够在材料成本增长不大的情况下显著提升电池效率,极具市场竞争力.本文主要阐述了钙钛矿太阳电池及其叠层电池的发展历史、器件种类和结构、功能层材料特性、性能优化策略,并对其面临的挑战以及发展趋势进行了总结与展望.

摘要： 目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该类器件的产品可靠性一直备受争议,这也使其使用情况和市场增长受到了阻碍。其中一个重要问题是当电流流过位于功率MOSFET源极和漏极之间的PN二极管[1]时,晶体缺陷会扩大,这会增加导通电阻并降低器件可靠性。

摘要： 钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)采用有机-无机卤化铅钙钛矿光吸收剂,产生于2009年,最初能量转换效率(power conversion efficiency,PCE)仅为3.8％,2011年对染料敏化钙钛矿太阳能电池结构优化后,这种电池的研究取得了突破性进展,PCE为6.5％.此后发展了高效固态PSCs,PCE≈10％,稳定性长达500小时,随后PSCs的研究才引起广泛关注.器件结构和高质量钙钛矿薄膜的发展最终导致PCE超过25.2％.在此,详细描述了获得高效PSCs的方法.为了能重复性地实现超过20％的PCE,从前驱体溶液化学、 无缺陷钙钛矿膜的加工和晶界的钝化角度来揭示关键技术.前体溶液中的化学物质、 晶体生长动力学、 光物质相互作用和控制缺陷,不仅可以重复制备20％以上的高效器件,还可以进一步提高PSCs的PCE.

摘要： 柔性太阳能电池因具有柔韧性好、质轻、易加工、应用范围广等优点而受到广泛研究。综述了目前发展最迅速、研究最广泛的两种柔性太阳能电池—钙钛矿太阳能电池和有机太阳能电池,针对器件结构、柔性衬底和电极介绍了其最新研究进展。最后,对柔性太阳能电池的发展进行问题总结和未来展望。

摘要： 近年来,随着我国工业自动化水平的不断提高,变频器的应用也越来越广泛.然而,由于各种因素的影响,使得变频器在使用过程中经常会出现一些故障.为了使变频器能够安全可靠运行,必须采取相应的预防措施.本文首先简介了变频器的器件结构以及运行原理，对过电流、过电压、过热等变频器常见故障进行了分析，对常见故障进行了分类。从物理环境、参数设置、设备维护、故障诊断几方面提出了预防措施.

摘要： 本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态和氧化物陷阱电荷引起的表面复合电流的增大是导致SiteHBT器件电流增益退化的主要机制。而不同器件辐射响应的差异则与不同的器件结构以及工艺参数的不同而引入的不同的能级缺陷有关。

摘要： 三极管的二次击穿是构成其安全工作区(SOA)的重要曲线.文中论述了二次击穿的机理,然后设计了一种具有高雪崩耐量的结构.采用TCAD软件TSUPREM4和MEDICI对器件结构进行仿真设计,对流片样品的动静态参数和雪崩耐量进行测试,测试结果雪崩耐量值达到设计要求.

摘要： 目前提高大功率垂直腔面发射激光器输出功率的途径有二:一，增大单管器件的尺寸;二，多个单管器件进行二维集成。其中方法一使得有源区的尺寸增加，器件具有更大的发光面积，可以提高输出功率并减小串联电阻，但是器件的尺寸不能无限增大，否则会引起电流注入不均匀，从而导致功率密度的减小和光束质量的下降，具有很大的局限性。方法二将多个发光单元进行集成来实现较高的输出功率，同时保持较高的转换效率，但会导致光束质量的下降，不利于进行光纤祸合。本文针对以上两方面问题分别提出解决方案:一是从VCSEL器件结构出发，合理优化n-DBR反射率、单元器件尺寸等关键参数，并采用纳秒级窄脉冲驱动方式消除热效应影响，有效提高了VCSEL单管及列阵器件的峰值输出功率;二是利用限制扩散湿法刻蚀法实现了微透镜列阵与VCSEL列阵的集成，研制出同时具有高输出功率及高光束质量的VCSEL列阵。

摘要： 救生照明场致发光线是以电场致发光为基础的一种新型低功耗的发光线器件,其外型类似电线,一般连续长度为100～200m,直径为5～12mm,使用电压为3～220V,使用寿命为3000～5000h,功耗为0.2W/m,承受拉力为30～700kg.其可以用于水面漂浮及水下救援,尤其在无光环境夜晚,水面水下路线、位置标记明显清晰,便于救援与打捞,也可用于复杂环境下的信号传输.用于夜晚的舰船对接、货物位置标记、舟桥军事装备的安装、指示、安全标记、水面水下区域的范围标识,如潜水场地、游泳区域等.

摘要： 救生照明场致发光线是以电场致发光为基础的一种新型低功耗的发光线器件,其外型类似电线,一般连续长度为100～200m,直径为5～12mm,使用电压为3～220V,使用寿命为3000～5000h,功耗为0.2W/m,承受拉力为30～700kg.其可以用于水面漂浮及水下救援,尤其在无光环境夜晚,水面水下路线、位置标记明显清晰,便于救援与打捞,也可用于复杂环境下的信号传输.用于夜晚的舰船对接、货物位置标记、舟桥军事装备的安装、指示、安全标记、水面水下区域的范围标识,如潜水场地、游泳区域等.

摘要： 救生照明场致发光线是以电场致发光为基础的一种新型低功耗的发光线器件,其外型类似电线,一般连续长度为100～200m,直径为5～12mm,使用电压为3～220V,使用寿命为3000～5000h,功耗为0.2W/m,承受拉力为30～700kg.其可以用于水面漂浮及水下救援,尤其在无光环境夜晚,水面水下路线、位置标记明显清晰,便于救援与打捞,也可用于复杂环境下的信号传输.用于夜晚的舰船对接、货物位置标记、舟桥军事装备的安装、指示、安全标记、水面水下区域的范围标识,如潜水场地、游泳区域等.

摘要： 救生照明场致发光线是以电场致发光为基础的一种新型低功耗的发光线器件,其外型类似电线,一般连续长度为100～200m,直径为5～12mm,使用电压为3～220V,使用寿命为3000～5000h,功耗为0.2W/m,承受拉力为30～700kg.其可以用于水面漂浮及水下救援,尤其在无光环境夜晚,水面水下路线、位置标记明显清晰,便于救援与打捞,也可用于复杂环境下的信号传输.用于夜晚的舰船对接、货物位置标记、舟桥军事装备的安装、指示、安全标记、水面水下区域的范围标识,如潜水场地、游泳区域等.

摘要： 文章主要是针对平面型高效率钙钛矿太阳能电池的研究，利用新型光伏技术，探索从阳光中获取能源的策略,提升电池效率。

摘要： 文章主要是针对平面型高效率钙钛矿太阳能电池的研究，利用新型光伏技术，探索从阳光中获取能源的策略,提升电池效率。

摘要： 本发明提出一种具有多个器件载体区域（10）的器件载体复合结构（1），所述器件载体区域（10）设置为用于固定半导体器件。器件载体复合结构（1）具有载体本体（2），例如为半导体晶片，所述载体本体具有第一主面（21）。在所述载体本体（2）中，在第一主面（21）一侧，构成具有沿着第一方向彼此平行伸展的第一沟槽（31）的沟槽结构（3），其中第一沟槽（31）在横向于沟槽（31）伸展的第二方向上对器件载体区域（10）限界。覆层（4）构成在载体本体（2）上，以至于器件载体区域（10）分别具有载体本体（2）的至少局部被覆层的第一主面（21）和所述沟槽结构（3）的至少局部被覆层的侧面（5）。此外，提出一种用于制造多个器件载体区域（10）的方法。在载体本体（2）中在第一主面（21）一侧构成沟槽结构（3），随后构成覆层（4）并且在其第二主面（22）一侧使载体本体（2）变薄，使得沟槽结构（3）至少局部地在倾斜或者垂直于第一主面（21）伸展的方向上完全延伸穿过载体本体（2）。沟槽结构（3）特别能够构成为网格状的或者条带状的，以至于载体本体（2）在变薄时被分为分别具有多个器件载体区域（10）的彼此分隔的器件载体条带或者器件载体区域（10）。

摘要： 一种用于有机发光二极管（OLED）器件的分层结构，所述分层结构包括光透射衬底和形成在光透射衬底的一侧上的内部提取层，其中内部提取层包括（1）散射区域，其包含由固体颗粒和孔组成的散射元件，所述固体颗粒具有随其离开与光透射衬底的界面而减小的密度，并且所述孔具有随其离开与光透射衬底的界面而增加的密度，以及（2）其中不存在散射元件的自由区域，其从与所述界面相对的内部提取层的表面形成到预定深度。

摘要： 本发明提供一种电子元器件安装结构中间体、电子元器件安装结构体及电子元器件安装结构体的制造方法。在利用CoC对半导体芯片进行层叠而得到的半导体装置中，无论各芯片的尺寸如何，都能实现芯片的小型化。安装结构中间体包括：第一芯片（1），该第一芯片（1）具有第一连接端子（3）；第二芯片（9），该第二芯片（9）在其与第一芯片相对的面上具有第二连接端子（10）；以及薄膜布线基板（8），该薄膜布线基板（8）的一个面上具有第三连接端子（7），并配置在第一芯片与第二芯片之间，该安装结构中间体装载在具有第五连接端子（13）的芯片装载基板（12）上，使第一芯片的另一个面与芯片装载基板相对。薄膜布线基板上具有较第一芯片及第二芯片均向外侧伸出的部分，其前端部上设有通过布线与第三连接端子相连的第四连接端子，第一连接端子的一部分与第二连接端子相连，第三连接端子与第一连接端子的另一部分相连，第五连接端子与第四连接端子相连。

摘要： 本发明提出一种具有多个器件载体区域（10）的器件载体复合结构（1），所述器件载体区域（10）设置为用于固定半导体器件。器件载体复合结构（1）具有载体本体（2），例如为半导体晶片，所述载体本体具有第一主面（21）。在所述载体本体（2）中，在第一主面（21）一侧，构成具有沿着第一方向彼此平行伸展的第一沟槽（31）的沟槽结构（3），其中第一沟槽（31）在横向于沟槽（31）伸展的第二方向上对器件载体区域（10）限界。覆层（4）构成在载体本体（2）上，以至于器件载体区域（10）分别具有载体本体（2）的至少局部被覆层的第一主面（21）和所述沟槽结构（3）的至少局部被覆层的侧面（5）。此外，提出一种用于制造多个器件载体区域（10）的方法。在载体本体（2）中在第一主面（21）一侧构成沟槽结构（3），随后构成覆层（4）并且在其第二主面（22）一侧使载体本体（2）变薄，使得沟槽结构（3）至少局部地在倾斜或者垂直于第一主面（21）伸展的方向上完全延伸穿过载体本体（2）。沟槽结构（3）特别能够构成为网格状的或者条带状的，以至于载体本体（2）在变薄时被分为分别具有多个器件载体区域（10）的彼此分隔的器件载体条带或者器件载体区域（10）。

摘要： 一种用于有机发光二极管（OLED）器件的分层结构，所述分层结构包括光透射衬底和形成在光透射衬底的一侧上的内部提取层，其中内部提取层包括（1）散射区域，其包含由固体颗粒和孔组成的散射元件，所述固体颗粒具有随其离开与光透射衬底的界面而减小的密度，并且所述孔具有随其离开与光透射衬底的界面而增加的密度，以及（2）其中不存在散射元件的自由区域，其从与所述界面相对的内部提取层的表面形成到预定深度。

摘要： 用于有机发光二极管（OLED）器件的分层结构，所述分层结构包括光透射衬底和形成在光透射衬底的一侧上的内部提取层，其中内部提取层包括（1）包含由固体颗粒和孔组成的散射元件的散射区域，所述固体颗粒具有随其离开与光透射衬底的界面而减小的密度，并且所述孔具有随其离开与光透射衬底的界面而增加的密度，以及（2）其中不存在散射元件的自由区域，其从与所述界面相对的内部提取层的表面形成到预定深度。

摘要： 公开了一种MOS晶体管，该MOS晶体管包括在垂直方向上从半导体衬底延伸的栅极结构。该栅极结构包括在垂直方向上从衬底延伸的栅电极，以及包围栅电极的绝缘层。沟道图形包围栅绝缘层，以及第一导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第一方向上从沟道图形的下部延伸。第二导电图形在垂直于沟道图形并平行于衬底的第二方向上从沟道图形的上部延伸。由此，根据第一和第二导电图形之间的距离，决定MOS晶体管的沟道长度，以及通过栅极结构的直径决定MOS晶体管的沟道宽度。

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种盒式光器件结构件、盒式光器件以及使用该盒式光器件结构件的光模块。该盒式光器件结构件，包括光连接端口、壳体和信号传输陶瓷件，光连接端口固定连接在壳体的一侧，信号传输陶瓷件固定连接在壳体的另一侧，信号传输陶瓷件的一端位于壳体内部、另一端位于壳体外部，信号传输陶瓷件内部设置有导线；信号传输陶瓷件位于壳体内部的一端设置有至少一层镀金焊盘面，以与壳体内部的芯片电连接；信号传输陶瓷件位于壳体外部的一端设置有至少一层镀金焊盘面，以与壳体外部的PCB板电连接，使用该盒式光器件的光模块中，光器件与PCB板之间的连接使用金线电连接。

摘要： 本发明公开了一种场发射器件结构的制造方法及场发射器件结构。该方法包括：提供作为阴极材料的N型单晶硅片；在N型单晶硅片的上表面形成图案化的光刻胶层，光刻胶层包括多个彼此间隔且呈阵列排布的光刻胶遮盖单元；对光刻胶层暴露出的待刻蚀区域进行等离子体刻蚀，等离子体刻蚀的过程包括刻蚀步和保护步，刻蚀步用于通过六氟化硫对待刻蚀区域进行刻蚀，保护步用于通过氧气对刻蚀步形成的刻蚀形貌的侧壁进行保护，通过循环交替执行刻蚀步和保护步，在每个光刻胶遮盖单元下方的N型单晶硅片上形成用于发射电子的尖锥结构；去除光刻胶层，以暴露出呈阵列排布的多个尖锥结构。实现简化工艺步骤、降低制造成本。