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徐宁;
中国科学技术大学;
器件; 栅极漏电;
机译:将正向偏置端的器件结漏电流降至最低,并将其用于低压四重堆叠共栅极放大器的应用
机译:具有严重的栅漏介电击穿性能的高级nMOSFET器件的栅极泄漏电流的分析和建模
机译:多晶硅/ SiON栅极叠层中NMOS栅极至漏极软击穿和硬击穿的器件特性和等效电路
机译:从辐射诱发的泄漏电流到带有超薄栅极氧化物的MOS器件的软击穿
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:热载流子应力,氧化物击穿和栅极泄漏电流之间的相关性,用于监测等离子体处理对栅极氧化物造成的损坏
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:形成带有替换栅极的大尺寸FinFET器件的方法,以减少击穿漏电流
机译:栅极沟槽之间具有指定击穿区域的绝缘栅极截止器件
机译:半导体器件及其制造方法,能够改善栅极(栅极感应的漏电)
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