ULSI介质CMP用大粒径硅溶胶纳米研磨料的合成及应用研究

摘要

针对超大规模集成电路多层互连结构中介质CMP抛光速率低,急需的大粒径硅溶胶研磨料,本文采用改进的粒径生长控制工艺制备介质CMP用大粒径硅溶胶,并采用TEM、激光粒度分析仪和Zeta电位测试仪等先进手段对其粒径大小、粒径分布和稳定性进行了表征.以低分散度硅溶胶纳米研磨料配制抛光浆料进行了二氧化硅介质的CMP研究,结果表明,平均粒径103.4 nm的硅溶胶浆料的去除速率达630 nm/min,有效解决了二氧化硅介质CMP低速率的难题.