Lithography; EUV lithography; Scanning Helium Ion Beam Lithography; EUV resist characterization; Helium Ion Microscope; Proximity effect; Energy transfer;
机译:使用DDR工艺制造高纵横比透射光栅,以通过EUV干涉光刻技术评估10 nm EUV抗蚀剂
机译:使用DDR工艺制造高纵横比传动光栅10nm EUV抗蚀剂评估通过EUV干扰光刻
机译:使用DDR工艺制造高纵横比传动光栅通过EUV干扰光刻使用DDR工艺进行10-NM EUV抵抗评估
机译:像素剂量优化对EUV抗蚀剂上氦离子束光刻的图案保真度的影响
机译:新型树枝状聚合物作为下一代光刻的抗蚀剂材料的设计,合成和评估。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:使用氦离子光刻评估20nM CD以下的EUV抗蚀剂性能