使用双频电容耦合等离子体(CCP)以EUV抗蚀剂进行的沟槽和孔图案化

摘要

公开了一种用于蚀刻在基片上的抗反射涂层(604)的方法。基片(600)包括有机层(606)、设置在有机层(606)上方的抗反射涂层(604)以及设置在抗反射涂层(604)上方的光致抗蚀剂层(602)。该方法包括：将光致抗蚀剂层(602)图案化以露出抗反射涂层(604)的非掩模部分；以及在抗反射涂层(604)的非掩模部分和图案化的光致抗蚀剂层(602)的非侧壁部分上选择性地沉积(608)含碳层(609)。该方法还包括：蚀刻(610)基片(600)，以去除含碳层(609)并且去除抗反射涂层(604)的非掩模部分的部分厚度，而不减小光致抗蚀剂层(602)的厚度。该方法还包括重复(612)选择性沉积(608)和蚀刻(610)，至少直到抗反射涂层(604)的非掩模部分的完整厚度被去除为止，以露出下面的有机层(606)。