机译:通过两步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:三步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP分布反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:通过选择性区域MOCVD在低成分InGaAs衬底上的应变层InGaAs-GaAs-InGaP埋入异质结构量子阱激光器
机译:动力学/(in)GaAs异质结构中SQW,2deg和MulsoSeps对SQW,2deg和MultiSeps的大量缺陷的影响
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:MOVPE生长的有序应变InGaP的温度依赖性磁阻特性
机译:用mOVpE生长的压缩应变InGaas / Inp量子阱的红外发光(1.6-1.9μm)。