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X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

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摘要

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．

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来源
《兰州大学学报：自然科学版》 |1996年第3期|58-61|共4页
作者
崔敬忠; 陈光华; 甘润今; 张仿清; 杨树人; 刘宝林; 陈佰军; 刘式墉;
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作者单位

兰州大学物理系;

吉林大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体能带结构;
关键词
气相外延生长; 超昌格; 半导体; InGaAs; 砷化镓;

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