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武占春;
异质结; 应变量子阱; 量子阱; 激光器; MOVPE生长;
机译:三步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP分布反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:通过两步MOVPE生长的高功率InGaAs-GaAs-InGaP掩埋异质结构应变量子阱激光器
机译:InGaAs-GaAs-InGaP分布反馈掩埋异质结构应变量子阱激光器,用于0.98微米大功率工作
机译:0.98um InGaAs(P)/ InGaP / GaAs增宽的波导分离禁区异质结构量子阱二极管激光器的超大功率工作
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:大功率生长健壮的InGaAs / InAlAs太赫兹量子级联激光器
机译:111 A取向压电InGaAs / GaAs / AlGaAs高应变量子阱激光器结构的MOVPE生长和性能
机译:有机金属气相外延生长的alInGaas / alGaas分离限制异质结构应变单量子阱二极管激光器
机译:具有InGaAs压缩应变有源层,GaAsP拉伸应变阻挡层和InGaP光波导层的半导体激光器件
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