IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, the Netherlands;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, the Netherlands;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, the Netherlands;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, the Netherlands;
ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, the Netherlands;
EUV Lithography; LCDU; Stochastic Noise; Etch; CH;
机译:极限紫外光刻中接触特性因焦点变化而引起的临界尺寸均匀性的全场分析
机译:通过光刻和蚀刻工艺顺序提高晶圆临界尺寸均匀性的方法:概念,方法,建模和实验
机译:过程效应校正策略对极限紫外光刻中临界尺寸变异性和电特性的影响
机译:蚀刻工艺对极端紫外光刻接触孔局部临界尺寸均匀性的影响
机译:极端紫外光刻的临界尺寸误差预算的表征
机译:极紫外光刻光源的激光产生的锡等离子体的电子密度和温度的时间分辨二维分布
机译:从关键尺寸分布测量估算极端紫外光刻中随机缺陷的极低概率
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。