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杨冠卿; 徐波; 梁平; 吕尊仁; 胡颖; 于天; 刘峰奇; 杨涛; 陈涌海; 王占国;
厦门大学;
浙江大学;
量子点激光器; 外延生长法; 位错密度; 宽条形器件;
机译:用于1.3μm量子点激光器的高质量InAs / GaAs量子点的分子束外延生长
机译:硅上外延生长的1.3μm量子点激光器电流驱动降解研究
机译:在硅外延生长的1.3μminas / gaas量子点激光器的优化:考虑变质癫痫的光学损失
机译:在Si上外延生长的高性能且可靠的1.3μmInAs量子点激光器
机译:1.3微米和1.55微米磷化铟镓砷-磷化铟量子阱激光器
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:在图案(001)Si上的低阈值外延生长1.3-μminas量子点激光器
机译:横向耦合Inas量子点分布反馈激光器,为1.3微米
机译:制备(2-吡啶基咪唑IL-4,-2或-2-噻唑基-氯代丁基或甲硫基-乙氨基)-5-(1-萘基-1.3-苯并二氧戊环alquilenoxi alquilenoxi;-; 14-苯并二恶英基萘基萘; 1-1.3-1.4-或苯并二恶唑基苯丙胺;苯并二恶唑基苯丙胺)-4-4-吡iri胺基啶酮或
机译:波长在1.3至1.5微米之间的表面发射垂直腔激光器及其实现
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